M1H
MACOM
RF Mixer LO/RF 1.8-6.2GHz IF DC-2GHz
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AIMBG75R020M1HXTMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 81 A、漏源导通电阻（Rds On） 18 mOhms，采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsAIMBG75R027M1HXTMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 64 A、漏源导通电阻（Rds On） 25 mOhms，采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsAIMBG75R060M1HXTMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 34 A、漏源导通电阻（Rds On） 55 mOhms，采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsAIMBG75R090M1HXTMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 24 A、漏源导通电阻（Rds On） 83 mOhms，采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsAIMDQ75R020M1HXUMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 81 A、漏源导通电阻（Rds On） 18 mOhms，采用 HDSOP-22 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsAIMDQ75R027M1HXUMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 64 A、漏源导通电阻（Rds On） 25 mOhms，采用 HDSOP-22 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsAIMDQ75R090M1HXUMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 24 A、漏源导通电阻（Rds On） 83 mOhms，采用 HDSOP-22 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsAIMW120R035M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 52 A、漏源导通电阻（Rds On） 35 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsAIMZA75R008M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 163 A，采用 TO-247-4 封装。
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