M1G
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。
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技术资料参考
芯片技术资料
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C106M1G
Littelfuse
主要参数包括类型 SCR、最大转折电流（IBO） 20 A、额定重复断态电压（VDRM） 600 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 4 A、正向电压（Vf） 2.2 V，采用 TO-225-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsFH8068604436820SRM1G
Intel
主要参数包括最大时钟频率 3.1 GHz、存储容量 384 GB、存储器类型 DDR4-2400、系统总线类型 PCI、产品 Server Processors、内核 Intel Xeon D，采用 FCBGA-2227 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing UnitsIM1G16D2DDBG-25
Intelligent Memory
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMIM1G16D2DDBG-25I
Intelligent Memory
主要参数包括最大时钟频率 400 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.7 V、电源电压（最大值） 1.9 V、类型 SDRAM - DDR2、数据总线宽度 16 位，采用 FBGA-84 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMMX66LM1G45GMR00-TB
Macronix
主要参数包括接口类型 SPI、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、商品名称 Macronix、型号别名 MX66LM1G45GMR00、单件重量 0.003210 oz。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMX66LM1G45GXDI00-T
Macronix
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMX66LM1G45GXDI00-TR
Macronix
主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMX66LM1G45GXDR00-T
Macronix
主要参数包括接口类型 SPI、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、商品名称 Macronix、型号别名 MX66LM1G45GXDR00、单件重量 0.003210 oz。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMX66UM1G45GXDI00-T
Macronix
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 1 Gbit、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash