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第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

1 个原型号
原型号

LTC3900ES8

Analog Devices Inc.

查看详情 · 1 条候选
  • LTC3900ES8#PBFAnalog Devices Inc.直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

4 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

LTC3900ES8#PBF

Analog Devices / Linear Technology

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 11 V、输出电压 3.3 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si,采用 SO-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers
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LTC3900ES8#PBF

Analog Devices

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 11 V、输出电压 3.3 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Low-Side,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Power Management ICs > Gate Drivers
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LTC3900ES8#TRPBF

Analog Devices / Linear Technology

主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、输出数 1 Output、工作电源电流 7 mA、高度 1.75 mm,采用 SO-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers
查看技术资料

LTC3900ES8#TRPBF

Analog Devices

主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、输出数 1 Output、原产国家或地区 马来西亚、输入电压(最大值) 11 V、输入电压(最小值) 4.5 V,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Power Management ICs > Gate Drivers
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