LMG3526R030RQSR
Texas Instruments
主要参数包括技术 氮化镓(GaN)、上升时间 2.8 ns、下降时间 22 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、湿敏性 是,采用 VQFN-52 封装。
半导体 > Power Management ICs > Gate Drivers技术资料参考
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Texas Instruments
主要参数包括技术 氮化镓(GaN)、上升时间 2.8 ns、下降时间 22 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、湿敏性 是,采用 VQFN-52 封装。
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