LMG3422R030RQZR
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.2 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS，采用 VQFN-54 封装。
半导体 > Power Management ICs > Gate Drivers搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
LMG3422R030RQZT
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 - 14 V, 5 V、输出电流 50 mA, 1 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 Low-Side，采用 VQFN-54 封装。
半导体 > Power Management ICs > Gate Drivers