LMG3410R150RWHR
Texas Instruments
主要参数包括电源电压(最小值) 9.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 12 A、技术 氮化镓(GaN)、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS,采用 VQFN-32 封装。
半导体 > Power Management ICs > Gate Drivers技术资料参考
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Texas Instruments
主要参数包括电源电压(最小值) 9.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 12 A、技术 氮化镓(GaN)、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS,采用 VQFN-32 封装。
半导体 > Power Management ICs > Gate DriversTexas Instruments
主要参数包括电源电压(最小值) 9.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 12 A、技术 氮化镓(GaN)、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS,采用 VQFN-32 封装。
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