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第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

1 个原型号
原型号

TL331VSN4T3G

onsemi

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  • LM311DTSTMicroelectronics相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

10 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

LM311D

Texas Instruments

该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 3.5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1.75 V,采用 SOIC-8 封装。

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LM311D

STMicroelectronics

该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 15 V、电源电压(最小值) 5 V、最小双电源电压 2.5 V、工作电源电压 36 V、每通道输出电流 50 mA,采用 SO-8 封装。

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LM311DE4

Texas Instruments

该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 3.5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1.75 V,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Analog Comparators
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LM311DG4

Texas Instruments

该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 3.5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1.75 V,采用 SOIC-8 封装。

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LM311DR

Texas Instruments

该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 3.5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1.75 V,采用 SOIC-8 封装。

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LM311DR2G

ON Semiconductor

该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 5 V、最小双电源电压 2.5 V、工作电源电压 9 V, 12 V, 15 V, 18 V, 24 V, 28 V、每通道输出电流 7.5 mA,采用 SOIC-8 封装。

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LM311DR2G

onsemi

该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 5 V、电源电压(最大值) 36 V、每通道输出电流 7.5 mA、输出类型 Complementary、比较器类型 General Purpose,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Amplifier ICs > Analog Comparators
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LM311DRE4

Texas Instruments

该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 3.5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1.75 V,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Analog Comparators
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LM311DRG4

Texas Instruments

该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 3.5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1.75 V,采用 SOIC-8 封装。

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LM311DT

STMicroelectronics

该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 15 V、电源电压(最小值) 5 V、最小双电源电压 2.5 V、工作电源电压 36 V、每通道输出电流 50 mA,采用 SO-8 封装。

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