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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
SC258DR2G	onsemi	LM258DR2G	2021-12-20	查看资料
KA258ADTF	onsemi	LM258DR2G	2019-11-04	查看资料
LM258AM	onsemi	LM258DR2G	2019-11-04	查看资料
LM258AMX	onsemi	LM258DR2G	2019-11-04	查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

7 个原型号

原型号

BA4560RFJ-GE2

Rohm Semiconductor

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LM258DR2Gonsemi相似型号

原型号

KA2904DTF

onsemi

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LM258DR2Gonsemi相似型号

原型号

LM258AMX

onsemi

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原型号

LM258DR

Texas Instruments

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LM258DR2Gonsemi相似型号

原型号

LM2904VQDRG4Q1

Texas Instruments

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LM258DR2Gonsemi相似型号

原型号

LM358ADG4

Texas Instruments

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LM258DR2Gonsemi相似型号

原型号

TL082IDRE4

Texas Instruments

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LM258DR2Gonsemi相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

2 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

LM258DR2G

ON Semiconductor

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 32 V、电源电压（最小值） 3 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V、最大双电源电压 +/- 16 V、最小双电源电压 +/- 1.5 V，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps

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LM258DR2G

onsemi

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 32 V, +/- 16 V、电源电压（最小值） 3 V, +/- 1.5 V、最大双电源电压 +/- 16 V、最小双电源电压 +/- 1.5 V、每通道输出电流 40 mA，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps

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