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搜索结果

原厂资料

4 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
SC258DR2Gonsemi
  • LM258DR2G
2021-12-20查看资料
KA258ADTFonsemi
  • LM258DR2G
2019-11-04查看资料
LM258AMonsemi
  • LM258DR2G
2019-11-04查看资料
LM258AMXonsemi
  • LM258DR2G
2019-11-04查看资料

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

13 个原型号
原型号

NCP4300ADR2

onsemi

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • LM258DRTexas Instruments相似型号
原型号

TJM4558CD

STMicroelectronics

查看详情 · 13 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • LM258DRTexas Instruments相似型号
原型号

TL082IDRE4

Texas Instruments

查看详情 · 17 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • LM258DR2Gonsemi相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

5 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

LM258DR

Texas Instruments

该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 32 V、电源电压(最小值) 3 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V、最大双电源电压 +/- 16 V、最小双电源电压 +/- 1.5 V,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps
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LM258DR2G

ON Semiconductor

该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 32 V、电源电压(最小值) 3 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V、最大双电源电压 +/- 16 V、最小双电源电压 +/- 1.5 V,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps
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LM258DR2G

onsemi

该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 32 V, +/- 16 V、电源电压(最小值) 3 V, +/- 1.5 V、最大双电源电压 +/- 16 V、最小双电源电压 +/- 1.5 V、每通道输出电流 40 mA,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps
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LM258DRG3

Texas Instruments

该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 32 V、电源电压(最小值) 3 V、最小双电源电压 +/- 1.5 V、工作电源电压 3~32 V、每通道输出电流 30 mA,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps
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LM258DRG4

Texas Instruments

该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 32 V、电源电压(最小值) 3 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V、最大双电源电压 +/- 16 V、最小双电源电压 +/- 1.5 V,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps
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