LM211QD
Texas Instruments
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 3.5 V、最小双电源电压 1.75 V、工作电源电压 3.5~30 V、每通道输出电流 50 mA,采用 SOIC-8 封装。
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Texas Instruments
该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 3.5 V、最小双电源电压 1.75 V、工作电源电压 3.5~30 V、每通道输出电流 50 mA,采用 SOIC-8 封装。
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该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 3.5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1.75 V,采用 SOIC-8 封装。
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该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 3.5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1.75 V,采用 SOIC-8 封装。
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该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 3.5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1.75 V,采用 SOIC-8 封装。
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该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 3.5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1.75 V,采用 SOIC-8 封装。
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该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 3.5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1.75 V,采用 SOIC-8 封装。
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该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 30 V、电源电压(最小值) 3.5 V、最小双电源电压 1.75 V、工作电源电压 3.5~30 V、每通道输出电流 50 mA,采用 SOIC-8 封装。
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该型号为比较器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最小值) 3.5 V、电源电压(最大值) 30 V、每通道输出电流 50 mA、输出类型 Open Collector and Emitter、比较器类型 Differential,采用 SOIC-8 封装。
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