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onsemi
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- LM211DSTMicroelectronics相似型号
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
LM211D
STMicroelectronics
该型号为比较器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 15 V、电源电压（最小值） 5 V、最小双电源电压 2.5 V、工作电源电压 36 V、每通道输出电流 50 mA，采用 SO-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Analog ComparatorsLM211D
Texas Instruments
该型号为比较器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 3.5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1.75 V，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Analog ComparatorsLM211DE4
Texas Instruments
该型号为比较器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 3.5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1.75 V，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Analog ComparatorsLM211DG4
Texas Instruments
该型号为比较器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 3.5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1.75 V，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Analog ComparatorsLM211DR
Texas Instruments
该型号为比较器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 3.5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1.75 V，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Analog ComparatorsLM211DR2G
ON Semiconductor
该型号为比较器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 2.5 V，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Analog ComparatorsLM211DR2G
onsemi
该型号为比较器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 36 V、每通道输出电流 2.4 mA、输出类型 Complementary、比较器类型 General Purpose，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Analog ComparatorsLM211DRG4
Texas Instruments
该型号为比较器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 30 V、电源电压（最小值） 3.5 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V、最大双电源电压 +/- 15 V、最小双电源电压 1.75 V，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Analog ComparatorsLM211DT
STMicroelectronics
该型号为比较器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 15 V、电源电压（最小值） 5 V、最小双电源电压 2.5 V、工作电源电压 36 V、每通道输出电流 50 mA，采用 SO-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Analog Comparators