LET9060
STMicroelectronics
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、增益 17.2 dB、输出功率 60 W、湿敏性 是,采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET Transistors技术资料参考
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STMicroelectronics
该型号为晶体管,主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、增益 17.2 dB、输出功率 60 W、湿敏性 是,采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。
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