LET9045
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、增益 18.5 dB、输出功率 45 W、湿敏性 是，采用 PowerSO-10RF-Straight-4 封装。
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LET9045C
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 9 A、漏源击穿电压（Vds） 80 V，采用 M243 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET TransistorsLET9045F
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 9 A、漏源击穿电压（Vds） 80 V，采用 M250 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET TransistorsLET9045S
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、类型 RF Power MOSFET、湿敏性 是。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET TransistorsLET9045STR
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 9 A，采用 PowerSO-10RF-Straight-4 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF MOSFET TransistorsLET9045TR
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 1 GHz、技术 Si、类型 RF Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 9 A，采用 PowerSO-10RF-Formed-4 封装。
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