L8107
CEL
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 High Power、反向电压（Vr） 90 V、最大二极管电容 600 fF、最大最大正向电流下串联电阻 1.5 Ω、正向电流（If） 50 mA，采用 MELF 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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ADL8107ACPZN
Analog Devices
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 6～18 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 90 mA、增益 24 dB，采用 LFCSP-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierADL8107ACPZN-R7
Analog Devices
主要参数包括组装国家或地区 韩国、晶圆制造国家或地区 中国台湾、原产国家或地区 韩国。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierISL8107IRZ
Renesas / Intersil
主要参数包括工作电源电压 9～75 V、输出电流 20 mA、开关频率 100～600 kHz、类型 Voltage Mode PWM Controllers、输出数 1 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching ControllersISL8107IRZ-T
Renesas / Intersil
主要参数包括工作电源电压 9～75 V、输出电流 20 mA、开关频率 100～600 kHz、类型 Voltage Mode PWM Controllers、输出数 1 Output、最小工作温度 - 40 C，采用 QFN EP 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Controllers