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芯片技术资料

10 条型号记录

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CEL

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 High Power、反向电压（Vr） 180 V、最大二极管电容 1.2 pF、最大最大正向电流下串联电阻 750 mOhms、正向电流（If） 50 mA，采用 MELF 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > PIN Diodes

CEL

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 High Power、反向电压（Vr） 240 V、最大二极管电容 1.2 pF、最大最大正向电流下串联电阻 750 mOhms、正向电流（If） 50 mA，采用 MELF 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > PIN Diodes

Analog Devices

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～5.5 V、工作频率 400 MHz to 7.5 GHz、测试频率 600 MHz to 6 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers，采用 LFCSP-16 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

Analog Devices

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3～5.5 V、工作频率 400 MHz to 7.5 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifiers、工作电源电流 150 mA，采用 LFCSP-16 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

Renesas / Intersil

主要参数包括输出电压 0.6～5 V、输出电流 30 A、开关频率 50～1500 kHz、类型 Voltage Mode PWM Controllers、输出数 1 Output、占空比（最大值） 100 %，采用 QFN EP 封装。