KTDM8G4B832BGIBCT
SMARTsemi
主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位,采用 FBGA-78 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAM技术资料参考
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主要参数包括最大时钟频率 1.6 GHz、存储容量 8 Gbit、电源电压(最小值) 1.14 V、电源电压(最大值) 1.26 V、类型 SDRAM - DDR4、数据总线宽度 8 位,采用 FBGA-78 封装。
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