KTDM2G3C618BGIEAT
SMARTsemi
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位,采用 FBGA-96 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAM技术资料参考
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主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 1.283 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3L、数据总线宽度 16 位,采用 FBGA-96 封装。
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