VS-VSKC236/04PBF
Vishay Semiconductors
主要参数包括电路类型 Diodes、通态有效值电流（It RMS） 360 A、非重复通态电流 5500 A、额定重复断态电压（VDRM） 400 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 20 mA、通态电压 1.46 V，采用 INT-A-PAK 封装。
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VS-VSKC236/12PBF
Vishay Semiconductors
主要参数包括电路类型 Diodes、通态有效值电流（It RMS） 360 A、非重复通态电流 5500 A、额定重复断态电压（VDRM） 1.2 kV、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 20 mA、通态电压 1.46 V，采用 INT-A-PAK 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCR ModulesVS-VSKC236/16PBF
Vishay Semiconductors
主要参数包括电路类型 Diodes、通态有效值电流（It RMS） 360 A、非重复通态电流 5500 A、额定重复断态电压（VDRM） 1.6 kV、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 20 mA、通态电压 1.46 V，采用 INT-A-PAK 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCR ModulesVS-VSKC236\04PBF
Vishay
主要参数包括技术 Si。
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Vishay
主要参数包括技术 Si。
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Vishay
主要参数包括技术 Si。
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