KBU8K
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU 封装。
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原厂资料
1 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| KBU8K-E4/51 | Vishay |
| 2025-01-30 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
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KBU8K-E4/51
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 50 C，采用 KBU 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersKBU8K-M3/P
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 300 A，采用 KBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersKBU8K-M3\P
Vishay
Bridge Rectifiers 8A, 800V Glass Passivated Bridge RECT.
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