KBU4005
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 50 V,采用 KBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流(If) 4 A、峰值反向电压 50 V,采用 KBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers