KBU1001
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.05 V、最大浪涌电流 300 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBU 封装。
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KBU1001-G
Comchip Technology
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 240 A，采用 KBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersKBU1001G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.317466 oz，采用 KBU-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersKBU1001G T0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 KBU-4 封装。
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