KBL401G
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 120 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBL 封装。
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KBL401G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 KBL-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersKBL401G T0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.1 V，采用 KBL-4 封装。
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