KBJ1008
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V，采用 KBJ-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 10 A、峰值反向电压 800 V，采用 KBJ-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersMicro Commercial Components (MCC)
主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.162260 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDiodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers