Jantx2N2060L/TRMicrochip / Microsemi该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 100 V、发射极-基极电压(VEBO) 7 V,采用 TO-78-6 封装。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT查看技术资料