Jan2N6987
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 Si，采用 Through Hole 封装。
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Jan2N6987/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-116-14 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTJan2N6987U
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsJan2N6987U/TR
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Quad、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 LCC-20 封装。
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