Jan2N2218AL/TRMicrochip / Microsemi该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 50 V、集电极-基极电压(VCBO) 75 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V,采用 TO-5-3 封装。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT查看技术资料