JANTXV1N5806
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 150 V、正向电流（If） 2.5 A、正向电压（Vf） 875 mV、最大浪涌电流 35 A、反向电流（Ir） 1 uA，采用 A-Package-2 封装。
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JANTXV1N5806/TR
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 150 V、正向电流（If） 2.5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.975 V、最大浪涌电流 35 A，采用 A-Package-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersJANTXV1N5806URS
Microchip / Microsemi
主要参数包括高度 26.2 mm、长度 5.08 mm、产品 Rectifiers、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、宽度 2.62 mm，采用 D-5A-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersJANTXV1N5806US
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 150 V、正向电流（If） 0.5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.875 V、最大浪涌电流 35 A，采用 Package-A-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersJANTXV1N5806US/TR
Microchip / Microsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 150 V、正向电流（If） 2.5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.975 V、最大浪涌电流 35 A，采用 A-Package-2 封装。
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