JANTX2N3440
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-39-3 封装。
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Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-39-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMicrochip / Microsemi
该型号为晶体管，采用 Si 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMicrochip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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