JAN2N5339U3Microchip / Microsemi该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极-发射极电压(VCEO) 100 V、集电极-基极电压(VCBO) 100 V,采用 TO-276AA 封装。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT查看技术资料