JAN1N6317
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 5.1 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 - 0.02 %/C, 0.035 %/C、稳压管电流 83 mA、稳压管阻抗（Zz） 14 Ω，采用 DO-35-2 封装。
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JAN1N6317C
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 5.1 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 2 %、电压温度系数 - 0.02 %/C, 0.035 %/C、稳压管电流 83 mA、稳压管阻抗（Zz） 14 Ω，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesJAN1N6317CUS
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 5.1 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 2 %、电压温度系数 - 0.02 %/C, 0.035 %/C、稳压管电流 83 mA、稳压管阻抗（Zz） 14 Ω，采用 B-SQ-MELF-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesJAN1N6317D
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 5.1 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 1 %、电压温度系数 - 0.02 %/C, 0.035 %/C、稳压管电流 83 mA、稳压管阻抗（Zz） 14 Ω，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesJAN1N6317DUS
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 5.1 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 1 %、电压温度系数 - 0.02 %/C, 0.035 %/C、稳压管电流 83 mA、稳压管阻抗（Zz） 14 Ω，采用 B-SQ-MELF-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesJAN1N6317US
Microchip / Microsemi
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesJAN1N6317US/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，采用 SMD/SMT 封装。
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