J176
InterFET
主要参数包括技术 Si、类型 JFET、晶体管极性 P-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） - 15 V、栅源击穿电压（Vgs） 30 V，采用 TO-92-3 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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J176-D74Z
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 JFET、晶体管极性 P-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） 30 V、型号别名 J176_D74Z、单件重量 0.001940 oz，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETJ176-D74Z
onsemi
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） 30 V、原产国家或地区 中国、型号别名 J176_D74Z，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETsCMPFJ176 BK
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 JFET、晶体管极性 P-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 15 V、栅源击穿电压（Vgs） 30 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETCMPFJ176 TR
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 JFET、晶体管极性 P-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 15 V、栅源击穿电压（Vgs） 30 V，采用 SOT-23 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETCMPFJ176 TR PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） 15 V、栅源击穿电压（Vgs） 30 V、栅源截止电压 1～4 V，采用 SOT-23 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETsMMBFJ176
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 JFET、晶体管极性 P-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） 30 V、栅源电压为零时的漏源电流 30 mA，采用 SOT-23 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETMMBFJ176
onsemi
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 P-Channel、配置 Single、栅源击穿电压（Vgs） 30 V、栅源截止电压 4 V、连续漏极电流（Id） - 25 mA，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETsSMPJ176
InterFET
主要参数包括技术 Si、类型 JFET、晶体管极性 P-Channel、配置 Single、漏源击穿电压（Vds） - 15 V、栅源击穿电压（Vgs） 30 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > JFETSMPJ176TR
InterFET
JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
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