IXYA48N65A5
IXYS
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 650 V、集电极-发射极饱和电压 1.27 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 130 A,采用 TO-263-2L 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTs技术资料参考
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IXYS
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 650 V、集电极-发射极饱和电压 1.27 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 130 A,采用 TO-263-2L 封装。
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