IXXP12N65B4
Littelfuse
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 650 V、集电极-发射极饱和电压 1.95 V、最大栅射电压 - 20 V, 20 V、25°C 时连续集电极电流 38 A,采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTs技术资料参考
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Littelfuse
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 650 V、集电极-发射极饱和电压 1.95 V、最大栅射电压 - 20 V, 20 V、25°C 时连续集电极电流 38 A,采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTsIXYS
该型号为晶体管,主要参数包括配置 Single、耗散功率(Pd) 160 W、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 175 C、商品名称 XPT,采用 TO-220-3 封装。
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