IXTT40N50L2
IXYS
主要参数包括技术 Si、类型 Linear L2 Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 500 V、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源导通电阻（Rds On） 170 mOhms，采用 TO-268-3 封装。
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IXTT40N50L2-TRL
IXYS
该型号为半导体器件，主要参数包括类型 Linear L2、产品 Power MOSFET Modules、栅源电压（Vgs） 20 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 TO-268-3 封装。
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