IXTT140N075L2HVIXYS主要参数包括类型 Linear L2、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 75 V、连续漏极电流(Id) 140 A、漏源导通电阻(Rds On) 11 mOhms、栅源阈值电压(Vgs th) 2 V,采用 TO-268HV-3 封装。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET查看技术资料