IXTA76N25T
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 Trench Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 250 V，采用 TO-263-3 封装。
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IXTA76N25T-TRL
IXYS
主要参数包括商品名称 Trench。
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