IXTA24P085T
IXYS
主要参数包括技术 Si、类型 TrenchP Power MOSFET、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 85 V、连续漏极电流（Id） 24 A、漏源导通电阻（Rds On） 65 mOhms，采用 TO-263-3 封装。
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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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