IXTA20N65XIXYS主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 20 A、漏源导通电阻（Rds On） 210 mOhms，采用 TO-263-3 封装。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET查看技术资料