IXTA08N100D2
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1 kV、连续漏极电流（Id） 800 mA，采用 TO-263-3 封装。
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IXTA08N100D2-TRL
IXYS
主要参数包括商品名称 0。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTA08N100D2HV
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1 kV、连续漏极电流（Id） 800 mA，采用 TO-263HV-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTA08N100D2HV-TRL
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1 kV、漏源导通电阻（Rds On） 21 Ω，采用 TO-263HV-3 封装。
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