IXGR6N170A
IXYS
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.7 kV、集电极－发射极饱和电压 5.4 V、25°C 时连续集电极电流 5.5 A，采用 TO-247AD-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
IXYS
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.7 kV、集电极－发射极饱和电压 5.4 V、25°C 时连续集电极电流 5.5 A，采用 TO-247AD-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules