IXGA36N60A3
IXYS
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 600 V、集电极-发射极饱和电压 1.4 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 200 A,采用 TO-263AA-3 封装。
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IXYS
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 600 V、集电极-发射极饱和电压 1.4 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 200 A,采用 TO-263AA-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT TransistorsLittelfuse
主要参数包括配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 600 V、集电极-发射极饱和电压 1.4 V、25°C 时连续集电极电流 36 A、耗散功率(Pd) 220 W、最小工作温度 - 55 C,采用 TO-263-2 封装。
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