IXGA12N120A3IXYS该型号为晶体管,主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 1.2 kV、集电极-发射极饱和电压 2.4 V、最大栅射电压 20 V,采用 TO-263AA-3 封装。半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Transistors查看技术资料