IXFA56N30X3
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 300 V、连续漏极电流(Id) 56 A、漏源导通电阻(Rds On) 27 mOhms,采用 TO-263-3 封装。
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IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 300 V、连续漏极电流(Id) 56 A、漏源导通电阻(Rds On) 27 mOhms,采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETLittelfuse
主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 300 V、连续漏极电流(Id) 56 A、漏源导通电阻(Rds On) 27 mOhms、栅源电压(Vgs) - 20 V, 20 V,采用 TO-263-2 封装。
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