IXFA34N65X2
IXYS
主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 34 A、漏源导通电阻（Rds On） 105 mOhms、栅源阈值电压（Vgs th） 2.7 V，采用 TO-263-3 封装。
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IXFA34N65X2-TRL
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 34 A、漏源导通电阻（Rds On） 100 mOhms，采用 TO-263-3 封装。
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