IXDI609SIA
IXYS Integrated Circuits
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。
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IXDI609SIATR
IXYS Integrated Circuits
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、技术 Si、类型 Inverting、上升时间 22 ns、下降时间 15 ns，采用 SOIC-8 封装。
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