IXBT12N300
IXYS
主要参数包括最大栅射电压 - 20 V, 20 V、原产国家或地区 菲律宾。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTs搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
IXBT12N300HV
IXYS
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 3 kV、集电极－发射极饱和电压 2.8 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 30 A，采用 TO-268-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Transistors