ISL55111IVZ
Renesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、上升时间 6.2 ns、下降时间 6.9 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 0.9 mm,采用 TSSOP N 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers技术资料参考
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Renesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、上升时间 6.2 ns、下降时间 6.9 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 0.9 mm,采用 TSSOP N 封装。
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主要参数包括技术 Si、上升时间 6.2 ns、下降时间 6.9 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 0.9 mm,采用 TSSOP N 封装。
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