ISL55110IRZ
Renesas / Intersil
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers、上升时间 1.5 ns，采用 QFN-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
ISL55110IRZ-T
Renesas / Intersil
主要参数包括最大时钟频率 70000 kHz、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 QFN EP 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversISL55110IRZ-T7A
Renesas / Intersil
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、输出电压 13.2 V、输出电流 3.5 A、技术 Si，采用 QFN-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate Drivers