IRLR014TRPBF
Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、高度 2.38 mm、长度 6.73 mm、宽度 6.22 mm、单件重量 0.050717 oz,采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET技术资料参考
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Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、高度 2.38 mm、长度 6.73 mm、宽度 6.22 mm、单件重量 0.050717 oz,采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETVishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 60 V、连续漏极电流(Id) 7.7 A、漏源导通电阻(Rds On) 200 mOhms,采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsVishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、高度 2.38 mm、长度 6.73 mm、宽度 6.22 mm、单件重量 0.050717 oz,采用 TO-252-3 封装。
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