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IRFS4227TRLPBF

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 200 V、连续漏极电流(Id) 62 A,采用 TO-252-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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